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2008/05/27

力旺電子與富士通合作提供0.18微米高壓及邏輯製程嵌入式非揮發性記憶體技術

【新竹訊】力旺電子宣佈其與日商富士通微電子有限公司 (Fujitsu Microelectronics Limited, FML)合作,富士通微電子採用力旺電子開發之NeoBit嵌入式非揮發性記憶體矽智財,成功開發0.18微米高壓(HV)及邏輯(Logic)製程平台。富士通微電子憑藉其整合元件大廠(IDM)的技術實力,藉此平台可提供更完整的專業晶圓代工製造服務。0.18微米NeoBit嵌入式非揮發性記憶體技術可應用於微控制器(MCU)、液晶顯示器驅動晶片(LCD Driver IC)、電源管理晶片(PMIC)、類比晶片(Analog IC)等產品,富士通微電子將運用0.18微米成熟製程之高壓(HV)及邏輯(Logic)製程平台擴充產品線。

富士通微電子積極建構快閃記憶體、嵌入式非揮發性記憶體及高壓元件等技術平台,並與力旺電子策略合作,快速完成0.18微米高壓(HV)及邏輯(Logic)製程之導入及產品線之量產應用,充分發揮其在記憶體技術上豐富之開發經驗。富士通微電子ASIC/COT事業部副總Tatsuya Yamazaki表示『很高興導入力旺電子NeoBit OTP元件技術與富士通微電子0.18微米製程結合,展現令人滿意之高可靠度與低成本的特性,能夠提供高產品良率、更具成本競爭優勢的製造服務,並進而為代工客戶提供更好的解決方案。

NeoBit OTP元件在高壓製程平台上,可使晶片在封裝後或是安裝在模組上後,針對因封裝而改變的參數進行微調設定並提升模組的特性,提高晶片的良率以及提升晶片乃至整個電子系統之產品性能,大幅提高產品設備與製造上之彈性,並快速有效地進行產品客製化。「力旺電子積極於晶圓代工廠及IDM大廠進行推廣應用與製程導入,並致力於與客戶共創高附加價值的營運模式。此次與富士通微電子的成功合作,進一步提昇NeoBit OTP佈局市場的廣度與深度,未來力旺電子將持續與富士通微電子進行緊密的策略合作,共同為客戶端提供長期穩定的技術支援與設計服務。」力旺電子徐清祥總經理表示。

富士通微電子將於高壓及邏輯製程針對微控制器、液晶顯示器驅動晶片、電源管理晶片、類比晶片等產品線提供OTP解決方案晶圓代工服務,未來力旺電子與富士通微電子將致力於更先進製程技術之開發及產品的應用擴散,以使技術能力與市場佈局更趨完整。