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2011/03/29

搶搭觸控與節能熱潮,NeoFlash之使用將持續成長

【新竹訊】國內嵌入式非揮發性記憶體(Embedded Non-Volatile Memory)矽智財領導廠商力旺電子(股票代號:3529)宣布,其嵌入式快閃記憶體矽智財NeoFlash除可廣泛使用於MCU、消費性電子產品外,近期內已成功實現於觸控晶片(Touch Panel Controller IC)與電池容量偵測晶片(Gauge IC)之客戶產品上,提供具成本優勢之嵌入式快閃記憶體解決方案,協助客戶降低成本、提升產品競爭力,快速搶得領先契機,目前採用NeoFlash技術之觸控晶片與電池容量偵測晶片已進入試產階段。

近來消費性電子市場逐漸升溫,美國消費性電子協會預估全球2011年消費性電子可達9,640億美元,年成長率為10%,而根據電子時報最新統計分析,單就兩岸廠商觸控晶片出貨量,2011年上半年即較去年同期成長高達237.4%,發展潛力驚人。因應消費性電子產品提高產品效能、降低功耗與縮小尺寸之需求,IC晶片嵌入使用NeoFlash矽智財將可大幅減少耗電量與整體系統產品之成本。以Gauge IC為例,嵌入使用NeoFlash矽智財將可有效儲存電池操作模式,記錄耗電程度,協助發揮電池之最佳效能,且因製程簡化,使其能較傳統內嵌式快閃記憶體節省至少25%的製造成本。此外,NeoFlash因容量規格涵蓋範圍廣泛(16Kbits~2Mbits),特別適合須具有高度運用彈性之智慧型手機、平板電腦、微控制器等應用市場,可積極協助客戶推出多樣化產品,滿足客戶不同需求。

力旺電子之核心技術NeoBit、NeoFlash與NeoEE具有製程簡單、成本低廉與保密性佳的絕對優勢。應用端廠商將力旺電子之矽智財產品嵌入晶片後,只需對晶片進行庫存管理,不須如傳統外掛式快閃記憶體進行額外之庫存管理,更毋需擔心因庫存不足或產能受限而延誤產品上市時間,能具體縮短開發週期,積極協助客戶加速Time to Market之時程。其次,嵌入式矽智財因經過封裝,不容易被盜拷,對於重要資訊的保存更有保障。而NeoFlash系列矽智財最大操作電壓僅需6伏特,且與邏輯製程完全相容,故使用NeoFlash可將外加之光罩數自一般8至9道縮減至2至3道,更大幅降低製程複雜度與生產成本。

展望未來,可預期NeoFlash與NeoEE之營收貢獻將漸次發酵,挹注產品營收。自NeoFlash系列矽智財推出迄今,已深獲台灣、美國、日本等地客戶之高度肯定,目前0.18微米之邏輯與高壓製程均已可供量產,而0.13微米與0.11微米則預計於2011年底通過驗證與導入量產。