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2014/02/25

力旺電子NeoBit矽智財於55奈米高壓先進製程佈局有成 提供全方位Full-HD小尺寸顯示器驅動晶片解決方案

【新竹訊】嵌入式非揮發性記憶體領導廠商力旺電子宣佈,力旺電子NeoBit單次可程式記憶體(One Time Programmable embedded non-volatile memory,OTP)矽智財成功拓展Full-HD小尺寸顯示器驅動晶片(SDDI)應用,在已佈局之0.18um、0.13um、80nm高壓製程平 台外,更進一步於世界級晶圓代工廠之12吋55nm高壓先進製程,提供成熟的量產解決方案。此先進製程能將晶片面積微小化,以更小尺寸的靜態隨機存取記憶 體(SRAM)實現Full-HD畫質,同時亦提供具備低耗電的儲存單元,可為高解析度小尺寸顯示器驅動晶片客戶,依不同產品定位,提供全方位低耗電與輕 巧體積之Full-HD畫質面板顯示方案。除此之外,55nm高壓先進製程更可積極做為超高畫質(Ultra HD, UHD) 甚至於超高解析度(Wide Quad HD, WQHD) 顯示器SDDI之生產平台,將可協助驅動晶片客戶搶攻下一世代高階顯示器應用商機。

近年來手機、平板應用程式朝向多元化與娛樂化演進,消費者透過行動裝置進行影音娛樂活動的需求快速提升,促使主流產品市場更加注重高解析度的螢幕畫面、更長 的電池壽命、與更輕薄的設計。這些市場趨勢,引領行動通訊裝置之解析度主流規格從WVGA/HD720推升至Full-HD高畫質,甚至朝向UHD、 WQHD演進,也使得強調具備高畫質解析度、更小之晶片體積、以及省電低功耗設計等主流產品需求之規格,已成為現階段驅動晶片發展的必然趨勢。

以目前80nm、90nm高壓製程生產之驅動晶片,受限於SRAM存取速度及功耗問題,耗電較高,效能較不理想,難以滿足Full-HD SDDI對高容量SRAM的需求。然而,當顯示器朝向越高解析度演進,驅動晶片必然需要內含更多高容量之SRAM,此時如何縮小晶片體積、同時降低功耗便 成為需要克服的挑戰。55nm高壓先進製程具備低耗電SRAM儲存單元,且可進一步微縮SRAM之尺寸,適合採用做為Full-HD小尺寸顯示器驅動晶片 之生產平台。瞄準此市場趨勢,力旺電子領先於12吋晶圓55nm先進高壓製程佈局,為Full-HD SDDI應用客戶提供已臻成熟良率的解決方案。搭配力旺電子NeoBit OTP矽智財,使晶片客戶得以利用參數設定的方式,協助調校顯示驅動晶片的畫面色彩,提高影像銳利度,使畫質更清晰。且力旺電子的NeoBit OTP矽智財,不須修改製程條件,能夠於最終產品模組封裝階段彈性調整顯示器驅動晶片色彩參數。力旺電子開發之NeoBit 技術即使在55nm先進製程,仍能展現優異的特性,包括穩定的產品良率、高度的可靠性、製程的便利性等,是客戶能夠成功利用此先進技術快速進入量產的關鍵 因素。結合力旺電子之矽智財及先進製程的優勢,能為客戶建構更具競爭力之Full-HD SDDI生產平台,更加符合高階行動裝置之規格需求與應用。

採用力旺電子NeoBit OTP矽智財於55nm高壓先進製程生產之Full-HD SDDI,具備小尺寸、低耗電、以及高效能之優勢,能為客戶大幅提升產品之競爭力與成本效益,並已於世界級的晶圓代工廠進入成熟量產的階段。力旺電子可為 驅動晶片客戶提供全方位的0.18um、0.13um、80nm、55nm高壓製程平台NeoBit OTP解決方案,是客戶掌握市場趨勢及提升產品競爭力的最佳合作夥伴。展望未來,力旺電子將與晶圓代工合作夥伴積極深耕先進製程平台,為客戶提供更多元、 更完整的嵌入式非揮發性記憶體技術與矽智財服務。

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