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2017/02/08

力旺電子NeoFuse矽智財率先於台積公司16奈米FFC製程完成可靠度驗證

【新竹訊】力旺電子今日宣布,其NeoFuse矽智財已成功在台積公司16奈米精簡型FinFET(16nm FinFET Compact,16FFC)製程完成可靠度驗證。同時,亦已有客戶內嵌NeoFuse矽智財於其產品中並完成設計定案(Tape Out)。NeoFuse矽智財具備優異的技術特徵,於台積公司16奈米鰭式電晶體(FinFET)製程各世代演進過程中均率先完成可靠度驗證,如此快速且完整的全方位佈局,展現力旺電子優異的技術開發能力,以及與台積公司穩固的夥伴關係。

奈米精簡型FinFET(16FFC)製程與16奈米強效型FinFET(16FF+)製程相比,具有更符合主流市場需求的成本與低功耗優勢,許多產品應用如智慧手機、消費電子或穿戴裝置等均採用16奈米精簡型FinFET製程開發。力旺電子的NeoFuse矽智財不但成功且迅速地佈建在廣為客戶使用的16奈米精簡型FinFET製程中,寫入時的耐熱度更升級至125度,使操作更有彈性,且可支持高階應用。

16奈米精簡版FinFET製程中完成驗證外,力旺電子更已經著手在台積公司16奈米FinFET系列中最新的製程平台-「12奈米FinFET」製程開發其NeoFuse矽智財。12奈米FinFET製程是16奈米FinFET系列的第四代,與前幾代相比,具備更低漏電特性與成本優勢,力旺電子從台積公司的16奈米FinFET第一代到最新的第四代製程平台均佈建其NeoFuse矽智財,具備優異之產品競爭力,在市場中穩居領先地位。

力旺電子一直以來與矽智財使用者與晶圓代工夥伴均保持良好且穩固的合作關係,堅持提供給客戶最優質、快速、穩定的全方位邏輯非揮發記憶體矽智財解決方案,使客戶產品具備最佳的市場競爭力。