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2011/07/13

力旺於台積公司 80 奈米高電壓製程提供嵌入式非揮發性記憶體矽智財

【新竹訊】嵌入式非揮發性記憶體(Embedded Non-Volatile Memory, eNVM)矽智財領導廠商力旺電子今(13)日宣佈,其單次可程式記憶體NeoBit技術已順利於台積公司80奈米高電壓製程完成可靠度驗證,並已成功導入客戶之高畫質(high-definition)顯示驅動晶片,將應用於下一世代智慧型手機。隨著手機應用不斷演進,更高畫質的顯示螢幕將是未來智慧型手機產業決勝的重要關鍵因素。

單次可程式記憶體NeoBit 於台積公司80奈米高電壓製程上展現卓越的可用性,提供高畫質顯示驅動晶片進行螢幕參數設定的功能,協助調校螢幕畫面色彩;另外,此項技術可提高影像銳利度,使畫質更清晰。迄今,力旺電子已量產超過相當於兩百六十萬片內含NeoBit技術之八吋晶圓。

台積公司設計建構行銷處處長Suk Lee表示:「我們非常高興力旺電子藉由台積公司80奈米高電壓製程的領先技術優勢,以高可靠度之嵌入式非揮發性記憶體技術來協助客戶成功創造出高整合度之智慧型手機高畫質顯示驅動晶片。」「此次成果正是另一個成功的例子,說明台積公司的開放創新平台(Open Innovation Platform®)是如何幫助IP夥伴為共同客戶實現創新並創造最大價值。」

力旺電子總經理沈士傑表示:「藉由與台積公司的緊密合作,此次推出之80奈米高電壓製程OTP解決方案獲得客戶熱烈的響應。力旺電子將持續為客戶提供領先的OTP解決方案,滿足來自新世代手機、消費及通訊電子產品的各項需求。」