新聞

【新竹訊】力旺電子單次可程式 (One-Time Programmable, OTP) NeoFuse技術再往前邁進16奈米強效版FinFET(16nm FinFET+)先進製程，完成高容量(256k bits)與低單電壓(<0.8V)矽智財之開發驗證，成為第一個在16奈米強效版FinFET製程成功驗證之OTP技術。

力旺電子NeoFuse技術可確實做到「一次」將資料成功寫入，不同於目前一般業界之單次可程式技術，需要多次的寫入動作才能完成，不僅加重客戶產品測試的 成本與複雜度，亦衍生周邊線路之可靠度問題。力旺電子獨特的架構能順利解決相關問題，達成「一次」寫入資料，是客戶在先進製程上的最佳解決方案。

此外，力旺電子NeoFuse技術可經由特殊元件與線路設計達到超低電壓和單電壓讀取的特性，超低電壓可使系統於啟動的最初階段即開始動作以提供韌體與晶片之間的身份辨識，特別適用於安全性設計，尤其是強調資料安全防護如行動支付與物聯網之相關應用。而透過特殊電路設計所完成的低電壓NeoFuse矽智財， 更是世界唯一能由單一低電壓操作之OTP矽智財，由單一低電壓操作，省略了高電壓的考量，使設計之便利性顯著提昇，其所展現之省電與低功耗特性，非常適合 客戶產品省電之需求。

力旺電子在16奈米強效版FinFET製程上併進完成高容量與低單電壓矽智財之開發驗證，此超越一般業界之進展已獲得各界高度關注，並將於美國時間2015 年9月17日在Santa Clara之TSMC 2015 Open Innovation Platform (OIP) Ecosystem Forum首次發表，也代表力旺電子緊追摩爾定律，邏輯製程非揮發性記憶體技術領先全球的一項重要里程碑。